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日立用于白色LED磊晶的GaN范本全新

来源:http://www.hnyuekan.com 编辑:d88尊龙 时间:2018/08/12

  日立用于白色LED磊晶的GaN范本全新

   日立电线株式会社宣告成功开宣布在蓝宝石基板上成长的高质量氮化镓(GaN)单晶薄膜的GaN范本全新量产技能,并已开端出售。

   透过将该产品用作“白色LED磊晶”的底层基板,能够大幅进步白色LED磊晶的出产功率及LED特性。因而,关于业界竞赛十分激烈的白色LED制造商而言,该产品可望成为有用提高工业位置的处理方案。

   近年来,白色LED以其节能、寿命长等明显长处,在以液晶面板背灯为代表的照明产品的需求正在急剧扩展。白色LED磊晶的根本结构是,先在蓝宝石基板上成长出一层10μm厚的n型GaN层,接着成长一层1μm厚的超薄活性层和p型GaN层。在一般的出产工序中,这些晶体层悉数选用MOVPE法完成成长。MOVPE法尽管适用于需求原子级膜厚操控的活性层的成长,但为了成长出所需厚度的优质n型GaN层,则需求花费较长的时刻。因而,白色LED磊晶的成长次数每天最多1~2次,怎么完成高功率的出产方式,一直是个待处理的难题。

   为了处理这一课题,该公司开宣布了选用MOVPE法成长的底层基板所运用的GaN范本。GaN范本选用在蓝宝石基板上成长n型GaN层的结构。透过选用GaN范本,LED制造商将不再需求n型GaN缓冲层的成长制程,成长所需求的时刻也将降至本来的一半左右。别的,选用该公司出产的GaN范本,还能够一起完成低阻化和高结晶性,也相同适用于需求较大电流的大功率LED

   之前,该公司曾开宣布用于蓝紫色雷射器等的单晶GaN自支撑基板,并为了完成该产品的出产,促进了选用HVPE法的独有结晶成长技能的开展。这次,该公司凭仗此项独有的成长技能,全新开宣布高质量GaN范本的高功率出产技能及设备,建构了齐备的量产体系。

   GaN范本的主要特点:?选用在GaN自支撑基板的开发过程中累积的成长技能,完成了高结晶性和高外表质量。?具有相同适用于大功率芯片键合型LED等的低电阻n型GaN缓冲层。?援助外表平整的蓝宝石基板及各种PSS。?援助直径2~6英寸芯片(8英寸芯片的开发正在计画中)。除曾经开宣布的GaN基板和GaN磊晶外,本公司这次又新增了GaN范本产品,往后将进一步强化和扩展GaN产品线,以供给可满意客户广泛需求的化合物半导体资料。一起,本年的5月13~16日期间,公司将参加在美国纽奥良市举行的CS Mantech,进行有关GaN范本的阐明展现。